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學術報告:局域還是自由?—載流子在InGaN量子結構中的復合方式

報告題目:局域還是自由?——載流子在InGaN量子結構中的復合方式

報 告 人:王子蘭  博士

報告時間:201796 9:30

報告地點:西教二407


報告人介紹:

王子蘭博士本科畢業于南開大學物理學院,于2015年在香港大學物理系獲得博士學位,其后在清華大學電子工程系集成光電子學國家重點實驗室從事博士后研究,目前就職于中國民航大學理學院。研究方向包括半導體光譜、缺陷物理以及光電子器件研發。在寬禁帶極性半導體及其納米結構的光學性質和復合機制上做出有影響力的研究工作,參與多項國家級基礎和應用研究項目。發表SCI論文十余篇,包括以第一作者發表于ACS Photonics, J. Phys. Chem. C等國際頂級期刊文章。多次在國際會議上做口頭報告和邀請報告,并于2015年獲選國家人社部博士后國際交流計劃引進項目資助。


報告摘要:

InGaN基材料在藍光發光二極管(LED)以及固態照明的應用中取得巨大成功,并在其他光電子學領域擁有廣泛的發展前景。無論是作為LED有源區的多量子阱結構,還是在制備單光子源和量子激光器具備優勢的納米線量子點結構,其發光機理仍然存在爭議,特別是載流子復合過程中出現的捕獲中心和局域態特性仍然有不明確之處。我們通過多種光譜的測量手段對InGaN/GaN量子阱和量子點樣品進行系統分析,觀察到載流子在量子結構中特有的發光規律,并結合電子能級系綜理論對載流子的復合方式進行物理闡釋,得到了InGaN量子阱中的局域中心分布函數以及納米結構表面態對能帶結構的調節機制。這些結果更新了對InGaN量子結構發光機理的認識,同時對提升器件性能有著重要的指導和借鑒意義。