學術報告：GaN基半導體的新熱點——從半導體照明到電力電子器件
報 告 人：沈波 教授（北京大學寬禁帶半導體研究中心，人工微結構和介觀物理國家重點實驗室）
報告時間：2015年11月16日14:30
報告地點：西教二—407
報告摘要：
GaN基寬禁帶半導體在短波長光電子器件和功率電子器件領域均具有重大應用價值。過去10多年，以藍光和白光LED為核心的半導體照明技術和產業飛速發展，形成了對國家經濟和人民生活產生顯著影響的高技術產業。近年來GaN基電子器件受到了學術界和產業界的高度重視，形成了新的研發和產業化熱點。本報告將在簡要回顧半導體照明發展歷程和現狀的基礎上，重點介紹GaN基電子器件的發展歷程和動態，包括GaN基微波功率器件和電力電子器件，并對該領域當前面臨的關鍵科學和技術挑戰進行分析。
報告人簡介：
沈波，男，1963年7月生，江蘇揚州市人，北京大學物理學院教授，博士生導師、長江學者、國家杰出青年基金獲得者、國家973計劃項目首席科學家、國家863計劃“第三代半導體”重點專項總體專家組組長、 “半導體照明”重點專項總體專家組成員。1985年畢業于南京大學物理系，獲學士學位，1988年畢業于中國科技大學物理系，獲碩士學位，1995年畢業于日本東北大學材料科學研究所(IMR)，獲博士學位。曾任日本東京大學產業技術研究所(IIS)客座研究員，東京大學先端科技研究中心(RCAST)、千葉大學電子學與光子學研究中心客座教授，日本產業技術綜合研究所(AIST) JSPS訪問教授。
1995年起一直從事III族氮化物 (又稱GaN基) 寬禁帶半導體材料、物理和器件研究，在GaN基異質結構MOCVD外延生長，強極化、高能帶階躍氮化物半導體載流子輸運性質，GaN基功率電子器件和紫外光電探測器件研制等方面取得在國內外同行中有一定影響的重要進展；近年來帶領其課題組在AlInN/GaN晶格匹配異質結構和Si襯底GaN基異質結構MOCVD外延生長，InGaN基材料MBE外延生長和p型摻雜、GaN基異質結構二維電子氣自旋性質等方面取得了一系列進展。先后主持和作為核心成員參加國家973計劃項目，國家863計劃項目，國家自然科學基金重大、重點項目，教育部、北京市重點項目，以及軍口項目等20多項科研課題，發表SCI收錄論文200多篇，論文被引用2000多次，先后在國際學術會議上做邀請報告10多次，獲得/申請國家發明專利20多件，多次擔任國際學術會議程序委員會、組織委員會主席和委員，擔任國內多個國家重點實驗室、科學院重點實驗室和國防重點實驗室的學術委員會委員，先后獲國家自然科學二等獎、江蘇省科技進步一等獎和教育部科技進步一等獎。
